重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的 红外反射测量方法  (GB/T 14847-2010)

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers onnheavily doped silicon substrates by infrared reflectance

代替GB/T14847-1993

发布时间： 2011-01-10

实施时间： 2011-10-01

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