硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法  (GB/T 39145-2020)

Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers-Inductively coupled plasma mass spectrometry

采用直接酸滴分解法或气相分解法,收集硅片表面的金属元素到扫描溶液中。扫描溶液试料通过电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)进样系统由载气带人高频等离子体源中,并在高温和惰性气氛中蒸发、解离、原子化和电离。绝大多数金属离子成为单价离子,这些离子高速通过双锥接口进入离子透镜后,在电场作用下聚焦成离子東并进入四极杆离子分离系统。离子被提取出并按照其质荷比分离后经离子检测器进行检测。按照质荷比进行定性分析、特定质荷比的检测信号进行定量分析,得出扫描溶液中待测金属元素的质量浓度,进而计算出硅片表面的金属元素含量。

发布时间： 2020-10-11

实施时间： 2021-09-01

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